Гаврилов Сергій Олександрович

Науковий ступінь: доктор технічних наук

Науковий напрямок: Технічні науки

регіон: Московська область

Рейтинг: 41 (за кількістю переглядів анкети за останній місяць)

СЕРТИФІКАТ учасника енциклопедії "Відомі Вчені"

Проректор з наукової роботи Московського державного інституту електронної техніки (технічний університет).

Випускник МІЕТ (1994 г.).

Доктор технічних наук (2002).

У МІЕТ працює з 1994 року: аспірант кафедри фізико-хімічних основ технології мікроелектроніки (1994-1997 рр.); завідувач кафедри «Матеріалознавство і фізична хімія» (з 2002 р). Проректор з наукової роботи (з 2008 р).

Вчений в області технології наноматеріалів. Підготував 3-х кандидатів наук.

Научні публікації:

Автор понад 100 наукових і навчально-методичних праць.

Список опублікованих робіт:

Гаврилов С.А., Бєлов О.М. Електрохімічні процеси в технології мікро- і наноелектроніки // М: Вища освіта, 2008. 257 с.

Gavrilov S., Dittrich Th., Lim B., Belaidi A., Lux-Steiner M. Ultra-thin charge selective systems based on MeSxHy (Me = In, Cu, Pb) // Thin Solid Films, 2008. V.516 , №20, P. 7051-7054.

Belov AN, Gavrilov SA, Shevyakov VI Formation of metal nanowires arrays by pulsed electrodeposition // Reviews and Short Notes to Nanomeeting - 2007 «Phisycs, chemistry and application of nanostructures» .- Minsk.- Belarus.- 2007.- P. 447- 450

Бритко О.М., Гаврилов С.А., Графутін В.І., Калугін В.В., Ілюхіна О.В., Мясищева Г.Г., Прокоп'єв Е.П., Тимошенків С.П., Кульків Ю .Ф. Дослідження пористого кремнію методом позитронної анігіляційної спектроскопії // Хімія високих енергій.- 2007.- тому 41.- №1.- C.52-57.

Чаплигін Ю.А., Поспєлов А.С., Прокоф'єв А.А. Центри формування компетенцій як механізм реалізації компетентнісного підходу в підготовці та перепідготовці інженерних кадрів для інноваційної економіки // Известия вузів. Електроніка.- №6 2006, с.79-85.

Бритко О.М., Бугаєнко В.Л., Гаврилов С.А., Графутін В.І., Грицьків В.Л., Калугін В.В., Ілюхіна О.В., Мясищева Г.Г., Прокоп'єв Е І.П.., Тимошенків С.П., Разинкова Т.Л., Кульків Ю.В. Дослідження пористого кремнію методом анігіляції позитронів // Праці XVI Міжнародного наради "Радіаційна фізика твердого тіла" (Севастополь, 3 - 8 липня 2006 р.) .- М .: ДНУ «НДІ ПМТ» .- 2006.- C. 460-469.

Belogorokhov AI, Belogorokhova LI, Gavrilov S. Polaron effect on plasma resonance and raman scattering in porous nanostructured InAs // 5th Int. Conf. "Porous Semiconductors-Science and Technology" (PSST-2006) March 12-17 2006.-Barcelona.- P2-39.

Belogorokhov AI, Belogorokhova LI, Gavrilov S. Comparative raman and photoluminescence study of porous silicon-germanium superlattices // 5th Int. Conf. "Porous Semiconductors-Science and Technology" (PSST-2006) March 12-17 2006.-Barcelona.- P2-38.

Nosova L., Igamberdiev Kh.T., Gavrilov S., Dittrich Th., Urban I., Yuldashev Sh., Khabibullaev PK Thermal properties of CdS / Al2O3 nanostructures // 5th Int. Conf. "Porous Semiconductors-Science and Technology" (PSST-2006) March 12-17 2006.- Barcelona.- P1-01.

Бєлов О.М., Гаврилов С.А., Шевяков В.І. Особливості отримання наноструктурованого анодного оксиду алюмінію // Російські нанотехнології. - 2006. - Т.1.-№1-2.-С.223-227.

Гаврилов С.А., Шерченков А.А., Кравченко Д.А., Апальков А.Б. Оптоелектронні властивості плівок CdS для сонячних елементів з тонким абсорбуючим шаром // Російські нанотехнологіі.-2006.- Т.1.-№1-2.- С.228-232.

Бєлов О.М., Гаврилов С.А., Путря М.Г., Шевяков В.І. Нанотехнології на основі анодних оксидних матеріалів // Известия вузів. Електроніка.- 2006.- №5.- С. 92-98.

Бєлов О.М., Гаврилов С.А. Синтез напівпровідникових ниткоподібних нанокристалів методом імпульсного електрохімічного осадження з подальшою сульфідізаціей // Известия вузів. Електроніка.- 2006.- №1.- С. 31-35.

Белогорохов А.І., Белогорохова Л.І., Гаврилов С.А. Коливальні процеси в нанокристалах CdS, CdSe, і ZnSe: встановлення кореляції між геометричною формою і оптичними властивостями // Изв. Вузів. Матеріали електронної технікі.- №3.- 2006.- С.32-38. Белогорохов А.І., Белогорохов І.А., Василевський М.І., Гаврилов С.А., Міранда Р.П. Полярні оптичні фонони в напівпровідникових нанокристалах CdS // ЖЕТФ.- 2006.- т.103.- вип. 6 (12) .- С.1-10.

Громов Д.Г., Гаврилов С.А., Редич Е.Н., Аммосов Р.М. Кінетика процесу плавлення-диспергирования тонких плівок міді // ФТТ.- 2007.- т.49.- вип.1.- С.172-178.

Redichev EN, Gromov DG, Gavrilov SA, Mochalov AI, Ammosov RM Combined method of copper electroplating deposition and low temperature melting for damascene technology // Proceedings of SPIE.- 2006.- vol. 6260.- Р. 62601H-1 - 62601H-8

Barkhudarov AV, Gavrilov AS, Galishnikov AA, Putrya MG Forming matrix nanostructures in silicon // Proceedings of SPIE.- 2006.- vol. 6260.- Р. 62600Z-1 - 62600Z-8.

Gromov DG, Gavrilov SA, Redichev EN, Mochalov AI, Ammosov RM Degradation of thin copper conductors because of low temperature melting // Proceedings of SPIE.- 2006- vol. 6260- Р. 62600H-1 - 62600H-8.

Belov AN, Gavrilov SA Synthesis of nanowires by pulsed current electrodeposition // Proceedings of SPIE.- 2006.- vol. 6260.- Р. 62600Y-1 - 62600Y-8.

Kravchenko DA, Gavrilov SA, Zheleznyakova AV, Vishnikin EV Synthesis of AIIBVI semiconductor nanocristals by electrochemical deposition and SILAR techniques // Proceeding of SPIE.-2006.- Vol. 6260.- Р.6260E-1 - 6260E-8.

Gavrilov SA, Zheleznyakova AV, Belov AN, Barabanov D.Yu., Shevyakov VI, Vishnikin EV Factors effected on nanoporous anodic alumina ordering // Proceeding of SPIE.- 2006, - Vol. 6260.- Р. 626011-1-626011-8.

Белогорохов А.І., Белогорохов І.А., Василевський М.І., Гаврилов С.А., Міранда Р.П., Діттріх Т., Хохлов Д.Р. Поглинання ІК випромінювання полярними оптичними фононами нанокристалів CdS, що складається з квантових точок і квантових ниток // ПЖЕТФ.- 2006.- Т.84.- вип.3.- С.152-155.

Belogorokhov AI, Belogorokhov IA, Vasilevski & # 301; MI, Gavrilov SA, Miranda RP, Dittrich Th., Khokhlov DR Infrared absorption by polar optical phonons in a CdS nanocrystal array consisting of quantum dots and quantum wires // JETP Letters.-Volume 84.-2006.- №3 / October. - Р. 1090-6487.

Gromov DG, Gavrilov SA, Redichev EN, Klimovitskaya AV, Ammosov RM The factors that determine the temperature of fusion of Cu and Ni thin films on inert surfaces // Rus. J. Phys. Chem.-Vol. 80.-2006.-№10 - Р. 1650-1655.

Golovan LA, Petrov GI, Fang GY, Melnikov VA, Gavrilov SA, Zheltikov AM, Timoshenko VY, Kashkarov PK, Yakovlev VV, Li CF The role of phase-matching and nanocrystal-size effects in three-wave mixing and CARS processes in porous gallium phosphide // Appl. Phys.- B 84.-2006.-С.303-308

Gavrilov S., Oja I., Lim B., Belaidi A., Bohne W., Strub E., R & # 246; hrich J., Lux-Steiner M.-Ch., Dittrich Th. Charge selective contact on ultra-thin In (OH) x Sy / Pb (OH) x Sy heterostructure prepared by SILAR // Physica Status Solidi (a) 2006 Vol. 203, No. 5, P. 1024 - 1029.

Гаврилов С.А., Рощин В.М., Шевяков В.І. Наноструктури і елементи наноелектроніки на базі методу локального зондового окислення // Нанотехнології в електроніці. Під ред. Ю.А.Чаплигіна (Глава 3.) М .: Техносфера, 2005. - 448 с.

Гаврилов С.А., Путря М.Г., Шевяков В.І. Нелітографіческіе методи формування поверхневих періодичних структур // Нанотехнології в електроніці. Під ред. Ю.А.Чаплигіна (Глава 4.) М .: Техносфера, 2005. - 448 с.

Гаврилов С.А., Графутін В.І., Ілюхіна О.В., Калугін В.В., Мясищева Г.Г., Разинкова Т.Л., Светлов-Прокоп'єв

Гаврилов С.А., Графутін В.І., Ілюхіна О.В., Мясищева Г.Г., Прокоп'єв Е.П., Тимошенків С.П., Кульків Ю.В. Пряме спостереження атома позитронно в пористому кремнії методом позитронної анігіляційної спектроскопії // Листи ЖЕТФ, 2005, т.81, вип.11, с.680-682.

Belogorokhov AI, Gavrilov SA, Kashkarov PK, Belogorokhov IA FTIR investigation of porous silicon formed in deutrofluoric acid based solutions // Physica status solidi (a) 2005 Vol. 202, No. 8, p 1581-1585.

Gavrilov S., Nosova L., Sieber I., Belaidi A., Dloczik L., Dittrich Th. Synthesis of semiconductor nanowires by pulsed current electrodeposition of metal with subsequent sulfurization // Physica status solidi (a) 2005 Vol. 202, No. 8, p 1497-1501

Belogorokhov AI, Gavrilov SA, Belogorokhov IA Structural and optical properties of porous gallium arsenide // Physica status solidi © 2005, Vol. 2, No. 9, p 3491-3494

Melnikov VA, Golovan LA, Konorov SO, Fedotov AB, Petrov GI, Li L., Yakovlev VV, Gavrilov SA, Zheltikov AM, Timoshenko V. Yu., Kashkarov PK Porous gallium phosphide: challenging material for nonlinear-optical

Белогорохов А.І., Гаврилов С.А., Белогорохов І.А., Тихомиров А.А. Оптичні властивості пористого нанорозмірного GaAs // ФТП, 2005, т. 39, вип.2, с. 258-263.

Nosova L., Gavrilov S., Sieber I., Urban I., Belaidi A., Dloczik L., Dittrich Th., Yuldashev Sh.U., Khabibullaev PK Synthesis of metallic and semiconductor nanowires based on porous anodic alumina // Uzbek J. Phys. 6, 325-333 (2004).

Gavrilov S., Golishnikov D., Gordienko V., Savel'ev A., Volkov R ... Efficient hard X-ray source using femtosecond plasma at solid targets with a modified surface // Laser and Particle Beams, 22 (2004), 3 , 301-306

Gavrilov SA, Belov AN, Zheleznyakova AV, .Barabanov D.Yu, Shevyakov VI, Vishnikin EV Technology and equipment for production of porous anodic alumina based nanostructures // Proceeding of III Russian-Japan seminar «Equipment and technologies for production of components of solid state electronics and nanomaterials »Moscow, MSIU, 2005, p.295-300.

Бархударов А.В., Гаврилов С.А., Голишников А.А., Путря М.Г. Отримання нанорозмірних матричних структур в кремнії // Известия вузів. Електроніка. 2005. №4-5. с. 102-106.

Гаврилов С.А., Бєлов О.М., Железнякова А.В., Вішнікін Є.В., Кравченко Д.А. Електрохімічні процеси формування твердотільних наноструктур // Известия вузів. Електроніка. 2005. №4-5. с. 94-97.

Громов Д.Г., Гаврилов С.А., Редич Е.Н. Вплив товщини плівок міді в шаруватих структурах Cu / W-Ta-N, Cu / C і C / Cu / C на тумпературу процесу плавлення - диспергування // ЖФХ, 2005, т.79, №9, с.1394-1401.

Gavrilov SA, Chaplygin Yu.A., Pak AS, Alekhin AP, Il'ichev EA, Poltoratcky EA, Rychkov GS Planar elements based on carbon nanotubes for vacuum electronics // Reviews and Short Notes to Nanomeeting - 2005 «Phisycs, chemistry and application of nanostructures »Minsk, Belarus, 2005, p. 579-582.

Belov AN, Gavrilov SA, Zheleznyakova AV, Kravtchenko DA, Shevyakov VI, Redichev EN, Belogorokhov AI, Dittrich Th. Nanocrystal synthesys within porous anodic alumina template // Reviews and Short Notes to Nanomeeting - 2005 «Phisycs, chemistry and application of nanostructures» Minsk, Belarus, 2005, p. 505-508.

Бєлов О.М., Гаврилов С.А., Громов Д.Г., Малкова А.С., Кравченко Д.А., Тихомиров А.А. Дослідження плавлення ниткоподібних нанокристалів індію в порах анодного оксиду алюмінію // Известия вузів. Електроніка. 2004. №4. C. 3-6.

Belogorokhov AI, Belogorokhova LI, Miranda RP, Vasilevskiy MI, Gavrilov SA Mixed optical phonon modes in semiconductor nanocrystals synthesized in porous Al2O3 matrix // Phys. Stat. Sol. C. Vol. 1, 2004. P. 2638-2641

Gavrilov SA, Kravtchenko DA, Zheleznyakova A., Timoshenko VY, Kashkarov PK, Melnikov V., Zaitsev G., Golovan LAPorous anodic alumina for photonics and optoelectronics // Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng. 5401, p. 235-241 (2004).

Gavrilov SA, Dzbanovsky NN, Dvorkin VV, Il'ichev EA, Medvedev BK, Poltoratsky EA, Rychkov GS, Suetin NV Selective growth of oriented carbon nanotubes // Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng. Vol. 5401, p. 251-256 (2004).

Гаврилов С.А., Іллічов Е.А., Полторацький Е.А., Ричков Г.С., Дворкін В.В., Дзбановський М.М., Суетин Н.В Емітери з вуглецевих нанотрубок для планарной емісійної вакуумної мікро- і наноелектроніки // ПЖТФ. Т.30, вип.14, 2004, с.75-81.

Громов Д.Г., Редич Е.Н., Гаврилов С.А. Оптичні та електрофізичні властивості періодичних структур Cu / In2O3 (Sn) // Известия вузів. Електроніка, №2, 2004 року за. 34-37

Гаврилов С.А., Іллічов Е.А., Козлитин А.І., Полторацький Е.А., Ричков Г.С., Дзбановський М.М., Дворкін В.В., Суетин Н.В. Латеральний емітер як базовий елемент інтегральної емісійної електроніки // ПЖТФ, 2004, т.30, вип.11, С.48-53.

Гаврилов С.А., Дзбановський М.М., Іллічов Е.А., Мінаков П.В., Полторацький Е.А., Ричков Г.С., Суетин Н.В Посилення потоку електронів за допомогою алмазної мембрани // ЖТФ , 2004, т.74, вип.1, с.108-114.

Белогорохов А.І., Гаврилов С.А., Белогорохова Л.І., Кравченко Д.А., Кобелєва С.П.Сінтез, оптичні властивості, просторово-обмежені і змішані моди граткових коливань нанокристалів CdS, синтезованих в пористому Al2O3 / / Известия вузів, Матеріали електронної техніки, 2003 No.4, С.65-70.

Dvorkin VV, Dzbanovsky NN, Suetin NV, Poltoratsky EA, Rychkov GS, Il'ichev EA, Gavrilov SA Secondary electron emission from CVD diamond films // Diamond and Related Materials 12 (2003) 22082218.

Lemeshko S., Bykov V., Gavrilov S., Roschin V., Saunin S., Shevyakov V. The Factors Influence Investigation on a Tip-induced Oxidation Process and Its Applications for Nanoscale Image Creation // AIP Conf. Proc. V. 696 (1), 2003 p. 594.

Гаврилов С.А., Кравченко Д.А. Механізм катодного осадження плівок CdS з водних розчинів // Известия вузів. Електроніка. - 2003. - № 4. - С. 37-43.

Gavrilov SA, Dzbanovsky NN, Dvorkin VV, Il'ichev EA, Poltoratsky EA, Rychkov GS, Suetin NV Nanoelectronic elements on the basis of selective grown oriented carbon nanotube // 11th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" St. Petersburg, Russia, 2003 p.234-235.

Головань Л.А., Мельников В.А., Коноров С.О., Федотов А.Б., Гаврилов С.А., Желтиков А.М., Кашкаров П.К., Тимошенко В.Ю., Петров Г .І., Лі Л., Яковлєв В.В. Ефективна генерація другої гармоніки при розсіянні в пористому фосфід галію // Листи ЖЕТФ, 2003. Т. 78, вип. 4, с.229-233.

Gavrilov SA, Roschin VM, Zheleznyakova AV, Lemeshko SV, Medvedev BN, Lapshin RV, Poltoratsky EA, Rychkov GS, Dzbanovsky NN, Suetin NN AFM investigation of highly ordered nanorelief formation by anodic treatment of aluminum surface // Physics, chemistry and application of nanostructures, Reviews and Short Notes to Nanomeeting 2003. World Scientific Publ p.500-502.

Gavrilov SA, Melnikov VA, Zaitsev GM, Golovan LA, Timoshenko V.Yu., Kashkarov PK, Kravtchenko DA Birefringence and photonic band gap in porous alumina films // Physics, chemistry and application of nanostructures, Reviews and Short Notes to Nanomeeting 2003. World Scientific Publ. p. 253-255.

Gavrilov SA, Belogorokhova LI, Belogorokhov AI, Timoshenko V.Yu., Kashkarov PK, Lisachenko MG, Kobeleva SP Enhanced photoluminescence and structural properties of porous silicon formed in hydrofluoric-hydrochloric solutions // Phys. Stat. Sol. (A) Vol.197, (2003), p. 228-231.

Belogorokhov AI, Belogorokhova LI, Gavrilov SA Coupled polar optical vibrational modes of CdS semiconductor nanocrystals embedded in porous Al2O3 // Phys. Stat. Sol. (A) Vol. 197, (2003), p. 204-207.

Білий В.К., Варнін В.П., Гаврилов С.А., Іллічов Е.А., Полторацький Е.А., Ричков Г.С., Теремецьке І.Г. Використання тонких алмазних плівок для формування інтегральних схем // Листи в ЖТФ, 2003 Т.29, вип.9, С.64-68.

Chernoutsan K., Dneprovskii V., Gusev V., Muljarov E., Romanov S., Syrnicov A., Shaligina O., Zhukov E., Gavrilov S. Linear and nonlinear optical properties of excitons in semiconductors-dielectric quantum wires // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, Vol.15, 2002 p.111-117.

Гаврилов С.А., Кравченко Д.А., Головань Л.А., Зайцев Г.М., Єфімова О.І., Жуков Е.А., Кашкаров П.К., Тимошенко В.Ю., Белогорохов А .І. Пористий анодний оксид алюмінію для оптоелектроніки і інтегральної оптики // Тр. Восьмий межд. наук.-техн. Конф. «Актуадьние проблеми твердотільної електроніки та мікроелектроніки», Дивноморське, Росія, 2002 С.16-19.

Дніпровський В.С., Жуков Е.А., Гаврилов С.А., Шалигіна О.А., Лясковський В.Л., Муляр Е.А., Масумото І. Екситони в полупровод-ників квантових нитках CdS і CdSe з діелектричними бар'єрами // ЖЕТФ, т.121, вип.6, 2002 с.1362-1369.

Гаврилов С.А., Белогорохов А.І., Белогорохова Л.І. Механізм кисневої пассивации пористого кремнію в розчинах HF: HCl: C2H5OH // ФТП, 2002 т. 36, вип. 1, с.104-108.

Parbukov AN, Beklemyshev VI, Gontar VM, Makhonin II, Gavrilov SA, Bayliss SC The production of a novel stain-etched porous silicon, metallization of the porous surface and application in hydrocarbon sensors // Materials Science and Engineering: C, V. 15 , № 1-2, 2001., p. 121-123.

Волков Р.В., Голишников Д.М., Гаврилов С.А., Гордієнко В.М., Міхєєв П.М., Савельєв А.Б., Сєров А.А. Генерація гарячих частинок в фемтосекундною лазерній плазмі з використанням твердотільних модифікованих мішеней // Квантова електроніка, Т.31, вип.3, 2001., с.241-246.

Гаврилов С.А., Графутін В.І., Прокоп'єв Е.П., Тимошенків С.П., Мясищева Г.Г., Кульків Ю.В. Можливості спостереження позитронного станів і фазових переходів на поверхні пористого кремнію // Укр. фіз. журн. 2001. Т.46, №8, с.870-877.

Dneprovskii V., Muljarov E., Syrnikov A., Zhukov E. Gavrilov S. Optical properties of CdS nanostructures crystallized in the pores of insulating template // 9th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" St.Petersburg, June 18-22, 2001., p.131-134.

Gavrilov SA, Kravtchenko DA, Belogorokhov AI, Zhukov EA, Belogorokhova LI Features of luminescent semiconductor nanowire array formation by electrodeposition into porous alumina // Physics, chemistry and application of nanostructures: Reviews and short notes to Nanomeeting '2001 (Minsk, Belarus, 2001. ), World Scientific Publishing Co. Pte. Ltd., p.316-319.

Gavrilov SA, Lemeschko SV, Shevyakov VI, Roschin VM Kinetics of tip induced oxidation by scanning probe microscope // Physics, chemistry and application of nanostructures: Reviews and short notes to Nanomeeting '2001 (Minsk, Belarus, 2001), World Scientific Publishing Co . Pte. Ltd., p.313-316.

Lemeshko S., Gavrilov S., Shevyakov V., Roschin V., Solomatenko R. Investigation of tip induced ultrathin Ti film oxidation kinetics // Nanotechnology, Vol.12, 2001., p.273-276.

Bykovski Yu.A., Karavanski VA, Kotkovski GE, Kuznetsov MB, Chistyakov AA, Lomov AA, Gavrilov SA Photophysical Processes Stimulated in Nanoporous Silicon by High-Power Laser Radiation // JETP 90, 121-128 (2000).

Варанавічюс А., Власов Т.В., Волков Р.В., Гаврилов С.А., Гордієнко В.М., Дубетіс А., Жеромскіс Е., Піскарскас А., Савельєв А.Б., Тамошаускас Г. Залежність виходу жорсткого рентгенівського з лучения з щільної плазми від довжини хвилі, що гріє сверхкороткого лазерного імпульсу // Квантова електроніка, 2000. Т. 30. No. 6. С. 523-528.

Гаврилов С.А., Лемешко С.В., Рощин В.М., Соломатенко Р.В., Шевяков В.І. Дослідження особливостей процесу локального окислення плівок титану на основі скануючої зондової мікроскопії // Изв. вузів. Електроніка, №3, 2000, с. 27-33.

Gavrilov SA, Tikhonova S.Yu., Lemeshko SV, Zhukov EA, Belogorokhov AI, Belogorokhova LI Principles of CdS nanowire array formation by electrodeposition into porous anodic alumina // Proc. 25th Int. Conf. Phys. Semicond., Osaka 2000 (Eds. N.Miura, T.Ando), p. 1745-1746.

Гаврилов С.А., Сорокін І.М. Електрохімічний аналіз будови і кінетики освіти пористого анодного оксиду алюмінію // Електрохімія. 2000, т. 36, №5, с. 618-622.

Громов Д.Г., Гаврилов С.А., Данилевич О.В., Мочалов А.І. Розробка селективного тра-ставника для самосовмещенного формування систем ме-таллізаціі на основі плівок сплаву Ti-Co-N // Изв. вузів. Електроніка, №2, 2000, с. 33-36.

Golishnikov DM, Gordienko VM, Gavrilov SA, Mikheev PM, Shashkov AA, Volkov RV Hard X-ray production from femtosecond plasma induced in cluster-like solids // ALT'99 Int. Conf. on Adv. Laser Techn., Proc. SPIE 4070, p.206-214.

Гаврилов С.А., Карарванскій В.А., Ломов А.А., РаковаЕ.В., Мельник М.М., Заваріцкого Т.Н., Бушуєв В.А. Діагностика субмікронних люмінесцентних плівок пористого кремнію // Поверхня. 1999 року, №12, С.32-39.

Gavrilov SA, Gusev VV, Dneprovskii VS, Zhukov EA, Syrnikov AN, Yaminskii IV, Muljarov EA Optical properties of excitons in CdS semiconductor-insulator quantum wires // JETP Lett. V.70, No.3, 1999, p.216-221.

Гаврилов С.А., Гусєв В.В., Дніпровський В.С., Жуков Е.А., Муляр Е.А., сирників А.Н., Ямінський І.В. Оптичні властивості екситонів у квантових нитках напівпровідник (CdS) - діелектрик // Листи ЖЕТФ, 1999. Т.70, вип.3, с. 216-220.

Гаврилов С.А., Коркішко Ю.М., Федоров В.А., Караванський В.А. Двулучепреломление в планарних хвилеводах на основі термічно окисленого пористого кремнію // Известия вузів. Електроніка, 1999, №1-2, с. 3-7.

Korkishko Yu.N., Fedorov VA, Karavanskii VA Structure of pores in thermally oxidized porous silicon waveguides // Physics, chemistry and application of nanostructures: Reviews and short notes to Nanomeeting '99 (Minsk, Belarus, 1999), World Scientific Publishing Co . Pte. Ltd. P. 378-381.

Gavrilov SA, Karavanskii VA, Sorokin IN Effect of the electrolyte composition on properties of porous silicon layers // Russian Journal of Electrochemistry. Vol. 35, No. 7, 1999, p.729-734.

Гаврилов С.А., Сорокін І.М., Караванський В.А. Вплив складу електроліту на властивості шарів пористого кремнію // Електрохімія. Т. 35, № 7, 1999, с. 817-822.

Gavrilov S., Lemeshko S., Shevyakov V., Roschin V. A study of the self-aligned nanometre scale palladium clusters on silicon formation process // Nanotechnology. V.10, №2, 1999, p. 213-216.

Belogorokhov AI, Belogorokhova LI, Gavrilov SA Investigation of properties of porous silicon embedded with ZnSe and CdSe // Journal of Crystal Growth. V.197. 1999 року, p. 702-706.

Dzhidzhoev MS, Gordienko VM, Gavrilov SA, Mikheev PM, Savel'ev AB, Shashkov AA, Vlasov TM, Volkov RV Overheated femtosecond plasma in highly porous silicon // Proc. of SPIE, ICONO'98, "Ultrafast Phenomena and Interaction of Superstrong Laser Fields with Matter: Nonlinear Optics and High-Field Physics". V.3735. 1998 p. 249-251.

Belogorokhov AI, Belogorokhova LI, Perez-Rodriguez A., Morante JR, Gavrilov SA Optical characterization of porous silicon embedded with CdSe nanoparticles // Appl. Phys. Lett. 1998. Vol.73, No.19, p.2766-2768.

Gavrilov SA, Korkishko Yu.N., Fedorov VA, Karavanskii VA ... Birefringent oxidized porous silicon based optical waveguides // Proc. Integrated Photonics Research. Victoria. Canada. 1998. March 30-April 3. IMC3-1. Р.30-32.

Гаврилов С.А., Караванський В.А., Сорокін І.М., Чегнова О.І. Механізм формування геометричній структури нанопористого кремнію // Праці відділення мікроелектроніки та інформатики Між-народної академії інформатизації. Вип.2, 1997. С.269-273.

Гаврилов С.А., Ємельянов А.В., Рябоконь В.Н., Самсонов Н.С., Чегнова О.І. Формування наноструктурованих матеріалів в умовах обмеженого обсягу нанометрових розмірів // Праці відділення мікроелектроніки та інформатики Міжнародної академії інформатизації. Вип.2, 1997. С.264-268.

Gavrilov SA, Sorokin IN, Karavanskii VA, Zavaritskaya TN, Melnik NN, Podzorov VV The change in the mechanism of the porous silicon formation during anodic polarization // Rus. J. Electrochem. Vol.33, No.9, 1997. p.985-989.

Гаврилов С.А., Заваріцкого Т.Н., Караванський В.А., Мельник М.М., облямівки В.В., Сорокін І.М. Зміна механізму формування шарів пористого кремнію при анодної поляризації // Електрохімія, 1997, т. 33, № 9, с. 1064-1068.

Гаврилов С.А., Сорокін І.М., Гревцева Н.Ф., Ісаєва І.А., Петров О.В. Вплив процесів масопереносу при формуванні пористого кремнію на його структур-ні властивості // Зб. науч. тр. МІЕТ "Технологічні процеси та матеріали компонентів електронних пристроїв" під ред.І.Н.Сорокіна. М.: МІЕТ, 1996, с. 10-18.

Гаврилов С.А., Сорокін І.М., Громов Д.Г. Фотовольтаїчний ефект на пористому кремнії // Зб. науч. тр. МІЕТ "Технологічні процеси та матеріали компонентів електронних пристроїв" під ред.І.Н.Сорокіна. М.: МІЕТ, 1996, с. 19-23.

Гаврилов С.А., Сорокін І.М., Гревцева Н.Ф. Пористий кремній для фотопристроїв // Електронна промисловість, вип.4-5, 1995, с.72.

Сорокін І.М., Щербачов Д.Р., Гаврилов С.А. Отримання однорідних по товщині анодних оксидних плівок на поверхні напівізолюючих арсеніду галію // Елементна база мікро- і наноелектроніки: Фізика і технологія. Зб. наук. тр. М.: МІЕТ (ТУ), 1994. С.102-110.

Гаврилов С.А., Сорокін І.М., Сосновских Ю.Н. Фотолюмінісценція пористого кремнію при фотовозбужденіі // Зб. науч. тр. МІЕТ "активируемого процеси технології мікроелектроніки" під ред.І.Н.Сорокіна. М.: МІЕТ, 1994, с. 156-160.

Щербачов Д.Р., Сорокін І.М., Гаврилов С.А., Левченко В.М., Гулідов Д.Н. Анодное окислення поверхні арсеніду галію, порушеною абразивної обробкою // Електрохімія, Т.28, 1992. С.1806-1811.

Новости